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SIHH24N65E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 23 A, 0.13 ohm, PowerPAK 8 x 8, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHH24N65E-T1-GE3
주문 코드4246963
Product RangeE Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation202W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001