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SIHK055N60EF-T1GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,412 |
| 10+ | ₩8,350 |
| 100+ | ₩7,087 |
| 500+ | ₩6,535 |
| 1000+ | ₩6,288 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHK055N60EF-T1GE3
주문 코드4014709
Product RangeEF Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation236W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
236W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000363