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SIHP080N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Through Hole
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHP080N60E-GE3
주문 코드3677861
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
제품 개요
E Series power MOSFET in 3 pin TO-220AB package is typically used in applications like server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters)).
- 4th generation E series technology
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001