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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHP8N50D-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드2283623
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8.7A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
SIHP8N50D-GE3의 대체 제품
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제품 개요
The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
- Low figure of merit Ron X Qg
- 100% Avalanche rated
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.7A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005443