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SIHP8N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | ₩1,591 |
| 100+ | ₩1,254 |
| 500+ | ₩1,064 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHP8N50D-GE3
주문 코드2283623
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8.7A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
SIHP8N50D-GE3의 대체 제품
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제품 개요
The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
- Low figure of merit Ron X Qg
- 100% Avalanche rated
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.7A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005443