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SIHR085N60EF-T1GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHR085N60EF-T1GE3
주문 코드4644742RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation184W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
50A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001