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SIHR100N60EF-T1GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 38 A, 0.1 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 10+ | ₩7,671 |
| 100+ | ₩6,209 |
| 500+ | ₩5,519 |
| 1000+ | ₩5,215 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHR100N60EF-T1GE3
주문 코드4349343RL
Product RangeEF Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8LR
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation347W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8LR
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
347W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000013