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SIR450DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR450DP-T1-RE3
주문 코드3765819
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 45V drain-source break-down voltage
- Tuned for low Qg and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and motor drive control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001