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SIR5710DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 26.8 A, 0.026 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR5710DP-T1-RE3
주문 코드4014721
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id26.8A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
SIR5710DP-T1-RE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363