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SIR870BDP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 81 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR870BDP-T1-RE3
주문 코드3397321RL
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
81A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000172