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SIRB40DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRB40DP-T1-GE3
주문 코드3772837
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46.2W
Power Dissipation P Channel46.2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0027ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46.2W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001