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SIS407DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS407DN-T1-GE3
주문 코드1859001
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation33W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The SIS407DN-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002