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SISD5806DN-T1-UE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 64 A, 0.0069 ohm, PowerPAK 1212-F, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISD5806DN-T1-UE3
주문 코드4588053
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.0069ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001