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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ256DT-T1-GE3
주문 코드3605913RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel70V
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id31.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel70V
Continuous Drain Current Id N Channel31.8A
On Resistance Rds(on)0.0137ohm
Continuous Drain Current Id P Channel31.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0137ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0137ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StylePowerPAIR
Power Dissipation Pd33W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
70V
Continuous Drain Current Id
31.8A
Continuous Drain Current Id N Channel
31.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
31.8A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0137ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source Voltage Vds P Channel
70V
On Resistance Rds(on)
0.0137ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0137ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
33W
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005