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SIZ340BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ340BDT-T1-GE3
주문 코드3587056
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel69.3A
Continuous Drain Current Id P Channel69.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00359ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.00359ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
69.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00359ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
69.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00359ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001