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SIZ340DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ340DT-T1-GE3
주문 코드2422226
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel4200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4200µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The SIZ340DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous buck battery charging and graphic cards, POL applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
4200µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
4200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00033