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SIZ998BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ998BDT-T1-GE3
주문 코드3462762
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel94.6A
Continuous Drain Current Id P Channel94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1800µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
1800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
SIZ998BDT-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001