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SIZF640DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 159 A, 159 A, 1000 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF640DT-T1-GE3
주문 코드4006715
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel159A
Continuous Drain Current Id P Channel159A
Drain Source On State Resistance N Channel1000µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1000µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel62.5W
Power Dissipation P Channel62.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
159A
Drain Source On State Resistance P Channel
1000µohm
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
62.5W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
159A
Drain Source On State Resistance N Channel
1000µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001