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SIZF906DDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 257 A, 900 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF906DDT-T1-GE3
주문 코드4472935RL
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF906DDT-T1-GE3
주문 코드4472935RL
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel257A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR F
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel83W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
257A
Drain Source On State Resistance N Channel
900µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR F
Power Dissipation N Channel
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001