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SQ1902AEL-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ1902AEL-T1_GE3
주문 코드3470701RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id780mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.345ohm
Continuous Drain Current Id N Channel780mA
Continuous Drain Current Id P Channel780mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.345ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.345ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSC-70
Power Dissipation Pd430mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel430mW
Power Dissipation P Channel430mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHC0
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
780mA
On Resistance Rds(on)
0.345ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
780mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
430mW
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
780mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.345ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.345ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
430mW
Power Dissipation N Channel
430mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001