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SQ1912AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ1912AEEH-T1_GE3
주문 코드3470705RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001