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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQ4284EY-T1_GE3
주문 코드3772859RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
On Resistance Rds(on)0.0112ohm
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0112ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0112ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd3.9W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.9W
Power Dissipation P Channel3.9W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0112ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.9W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.0112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0112ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
3.9W
Power Dissipation N Channel
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
SQ4284EY-T1_GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000257