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SQJ431EP-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ431EP-T1_GE3
주문 코드2617107
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.178ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC0
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.178ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000156