페이지 인쇄
SQJ590EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 98 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
여기에 관심 품목 등록
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,942 |
| 10+ | ₩2,561 |
| 100+ | ₩1,740 |
| 500+ | ₩1,418 |
| 1000+ | ₩1,245 |
| 5000+ | ₩1,140 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩3,942
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ590EP-T1_GE3
주문 코드4777206
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance0.0098ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation245W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
245W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001