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SQJ940EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
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|---|---|
| 1+ | ₩1,402 |
| 10+ | ₩1,150 |
| 100+ | ₩896 |
| 500+ | ₩760 |
| 1000+ | ₩750 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ940EP-T1_GE3
주문 코드2364124
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0133ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0133ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
애플리케이션
Automotive, Automotive, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0133ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0133ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002