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SQJB04ELP-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 30 A, 0.0078 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB04ELP-T1_GE3
주문 코드4246811RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0078ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0078ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074