페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJB68EP-T1_GE3
주문 코드2932990RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
On Resistance Rds(on)0.0765ohm
Continuous Drain Current Id N Channel11A
Continuous Drain Current Id P Channel11A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0765ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.0765ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd27W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.0765ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
11A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
11A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0765ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0765ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
27W
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003