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SQJQ116EL-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 61 A, 9200 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJQ116EL-T1_GE3
주문 코드4588047RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance9200µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation91W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9200µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
61A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
91W
Operating Temperature Max
175°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001