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SQJQ904E-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJQ904E-T1_GE3
주문 코드2663703
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel100A
Continuous Drain Current Id P Channel100A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0034ohm
Transistor Case StylePowerPAK
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel135W
Power Dissipation P Channel135W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
100A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0034ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
135W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
100A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0034ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Power Dissipation N Channel
135W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002