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SQJQ980EL-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 3600 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJQ980EL-T1_GE3
주문 코드3470683RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel36A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Continuous Drain Current Id P Channel36A
Drain Source On State Resistance N Channel3600µohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel3600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StylePowerPAK
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd187W
Power Dissipation N Channel187W
Power Dissipation P Channel187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id
36A
Continuous Drain Current Id N Channel
36A
Continuous Drain Current Id P Channel
36A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
3600µohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Power Dissipation Pd
187W
Power Dissipation P Channel
187W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
3600µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00018