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SQS121ELNW-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS121ELNW-T1_GE3
주문 코드4588050RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id114A
Drain Source On State Resistance5000µohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation119W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
8Pins
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Continuous Drain Current Id
114A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
119W
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001