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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQW33N65EF-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드3765828
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.109ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeE
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
제품 개요
E series power MOSFET with fast body diode is typically used in applications such as automotive on-board charger and automotive DC/DC converter.
- Fast body diode MOSFET using E series technology
- Reduced trr, Qrr, and IRRM
- Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss)
- Low switching losses due to reduced Qr
- 175°C operating temperature
- AEC-Q101 qualified
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004536