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SQW33N65EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 34 A, 0.109 ohm, TO-247AD, Through Hole
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQW33N65EF-GE3
주문 코드3765828
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.109ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeE
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
제품 개요
E series power MOSFET with fast body diode is typically used in applications such as automotive on-board charger and automotive DC/DC converter.
- Fast body diode MOSFET using E series technology
- Reduced trr, Qrr, and IRRM
- Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss)
- Low switching losses due to reduced Qr
- 175°C operating temperature
- AEC-Q101 qualified
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536