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SUD19P06-60-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUD19P06-60-GE3
주문 코드2101465
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id18.3A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The SUD19P06-60-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC/DC converters and power switch applications.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000563