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SUP60061EL-GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 150 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,428 |
| 10+ | ₩4,548 |
| 100+ | ₩3,229 |
| 500+ | ₩2,970 |
| 1000+ | ₩2,711 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUP60061EL-GE3
주문 코드3765811
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance0.0058ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
제품 개요
- P-channel 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- Maximum 175°C junction temperature
- Low RDS(on) minimizes power loss from conduction
- Compatible with logic-level gate driving
- 100% Rg and UIS tested
- Applications include battery protection, motor drive control and load switch
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001