페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
35,044 재고
더 필요하세요?
4050 1-2 영업일 이내 배송(싱가폴 재고)
30994 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
수량 | 가격 |
---|---|
5+ | ₩475 |
10+ | ₩303 |
100+ | ₩251 |
500+ | ₩232 |
1000+ | ₩228 |
가격기준Each
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩2,375
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSAL6100
주문 코드1328299
기술 데이터 시트
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max2.6V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The TSAL6100 is a 2-pin high power Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power. It features good spectral matching with Si photodetectors, ±10° angle of half intensity and 940nm peak wavelength. It is suitable for use in infrared remote control units with high power requirements, free air transmission systems, infrared source for optical counters and card readers, IR source for smoke detectors.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
기술 사양
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
2.6V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536