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TSHG6400
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 20 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,525 |
| 10+ | ₩1,181 |
| 25+ | ₩1,116 |
| 50+ | ₩1,051 |
| 100+ | ₩986 |
| 500+ | ₩883 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSHG6400
주문 코드1779678
기술 데이터 시트
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)20mW/Sr
Rise Time20ns
Fall Time tf13ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The TSHG6400 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with CMOS cameras
- 18MHz High modulation bandwidth (fc)
기술 사양
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
20ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
22°
Radiant Intensity (Ie)
20mW/Sr
Fall Time tf
13ns
Forward Voltage VF Max
1.5V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
TSHG6400의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000337