페이지 인쇄
VEMD6060X01
Photodiode, 70 °, 30 pA, 820 nm, 1206-2
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 개요
Silicon PIN photodiode suitable for use in high speed photo detector, small signal detection and proximity sensors.
- Radiant sensitive area of 0.85mm²
- AEC-Q101 qualified
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Excellent Ira linearity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
기술 사양
No. of Pins
2Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
820nm
Dark Current
30pA
Operating Temperature Max
110°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Diode Case Style
1206
Angle of Half Sensitivity ±
70°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00043