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VEMD6110X01
Photodiode, 60 °, 1 nA, 950 nm, 1206-2
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제품 개요
- Silicon PIN photodiode suitable for high speed photo detector
- Radiant sensitive area of 0.85mm²
- AEC-Q101 qualified
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Daylight blocking filter matched with 830nm to 950nm emitters
- Fast response times
기술 사양
No. of Pins
2Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
950nm
Dark Current
1000pA
Operating Temperature Max
110°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Diode Case Style
1206
Angle of Half Sensitivity ±
60°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 4 - 72 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00045