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VSMY2850RG
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 10 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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|---|---|
| 1+ | ₩1,133 |
| 10+ | ₩790 |
| 25+ | ₩762 |
| 50+ | ₩734 |
| 100+ | ₩705 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSMY2850RG
주문 코드1870813
기술 데이터 시트
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSLMSL 2A - 4 weeks
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The VSMY2850RG is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 4 weeks, MSL 2a, according to J-STD-020. It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels and IR illumination.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Terminal configurations - Gull-wing or reserve gull-wing
- ±10° Angle of half intensity
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 2A - 4 weeks
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):4