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NXPSC08650Q
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 8 A, TO-220AC
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩7,471 |
| 10+ | ₩6,291 |
| 100+ | ₩4,932 |
| 500+ | ₩4,561 |
| 1000+ | ₩4,122 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호NXPSC08650Q
주문 코드2902399
기술 데이터 시트
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge-
Diode Case StyleTO-220AC
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
NXPSC08650Q is a silicon carbide diode. This is designed for high frequency switched-mode power supplies. Applications include power factor correction, telecom / server SMPS, UPS, PV inverter, PC silver box, LED / OLED TV, motor drives.
- Highly stable switching performance, high forward surge capability IFSM
- Extremely fast reverse recovery time, superior in efficiency to silicon diode alternatives
- Reduced losses in associated MOSFET, reduced EMI
- Reduced cooling requirements
- 1.5V typical forward voltage (IF = 8A, Tj= 25°C)
- 13nC typical recovered charge (IF = 8A, dIF/dt = 500A/μs, VR = 400V, Tj= 25°C)
- 650V max repetitive peak reverse voltage
- 8A max average forward current (δ = 0.5, square-wave pulse, Tmb ≤ 112°C)
- 2 pin TO263 package, 175°C junction temperature
기술 사양
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
-
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-220AC
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0005