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C2M0160120D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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| 수량 | 가격 |
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| 5+ | ₩22,105 |
| 10+ | ₩20,613 |
| 50+ | ₩19,120 |
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제품 정보
제조업체WOLFSPEED
제조업체 부품 번호C2M0160120D
주문 코드2630830
Product RangeC2M
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeC2M
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
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제품 개요
The C2M0160120D is a 1.2kV N-channel enhancement mode silicon carbide Power MOSFET of high speed switching with low capacitances. The Z-FET™ MOSFET is ideal for high-frequency applications. The silicon carbide power MOSFET features higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased system switching frequency.
- High blocking voltage with low RDS (on)
- Easy to parallel and simple to drive
- Resistant to latch-up
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management, Alternative Energy
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
125W
Product Range
C2M
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.008301