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CAS120M12BM2
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
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제품 정보
제조업체WOLFSPEED
제조업체 부품 번호CAS120M12BM2
주문 코드2630836
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id193A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
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제품 개요
애플리케이션
Medical
경고
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기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
193A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
925W
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.345637