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XP3R303GMT-L
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 105 A, 3300 µohm, PMPAK, Surface Mount
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제품 정보
제조업체YAGEO XSEMI
제조업체 부품 번호XP3R303GMT-L
주문 코드4168927
Product RangeXP3R303 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StylePMPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3R303 Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
PMPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3R303 Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001