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DMN601DMK-7
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 1.2 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN601DMK-7
주문 코드3944120RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id510mA
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel510mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-26
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd980mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel980mW
Power Dissipation P Channel980mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Continuous Drain Current Id P Channel
510mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
980mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
510mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-26
Power Dissipation Pd
980mW
Power Dissipation N Channel
980mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001