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DMPH6050SPD-13
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMPH6050SPD-13
주문 코드2748299RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel26A
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Continuous Drain Current Id P Channel26A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerDI5060
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
26A
Continuous Drain Current Id N Channel
26A
Continuous Drain Current Id P Channel
26A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
Transistor Case Style
PowerDI5060
Power Dissipation Pd
2.8W
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000116