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ZXMC6A09DN8TA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.045 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXMC6A09DN8TA
주문 코드3944179RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd2.1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.1W
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001