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IMBG120R234M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R234M2HXTMA1
주문 코드4376968RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R234M2H, SP005825459
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R234M2HXTMA1
주문 코드4376968RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R234M2H, SP005825459
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id8.1A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.2339ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation80W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
8.1A
Drain Source On State Resistance
0.2339ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
80W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001