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BSH103,215
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH103,215
주문 코드2336818
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id850mA
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BSH103,215 is a N-channel enhancement-mode MOS Transistor in a surface-mount package. It is suitable for use in DC-to-DC converters, battery powered applications, Glue-logic - interface between logic blocks and/or periphery and general purpose switch applications.
- Very low threshold
- High-speed switching
- No secondary breakdown
- Direct interface to C-MOS, TTL
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
850mA
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
BSH103,215의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.099