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BSH201,215
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH201,215
주문 코드2439434
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation417mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
제품 개요
The BSH201,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Low threshold voltage
애플리케이션
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
160mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417mW
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001