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PMGD175XNEX
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMGD175XNEX
주문 코드3440057RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id870mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.211ohm
Continuous Drain Current Id N Channel870mA
Continuous Drain Current Id P Channel870mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.211ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.211ohm
Transistor Case StyleTSSOP
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd390mW
Power Dissipation N Channel390mW
Power Dissipation P Channel390mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
870mA
On Resistance Rds(on)
0.211ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
870mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.211ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.211ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
390mW
Power Dissipation P Channel
390mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
870mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSSOP
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
390mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001