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FDMB3800N
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMB3800N
주문 코드2822534
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.032ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.032ohm
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00007